芯片产品
热点资讯
- SiTime(赛特时脉)
- SiTime(赛特时脉)SIT8103AI-83-33E-50.00000X晶振器MEMS OSC XO 50.0000
- SiTime(赛特时脉)SIT1533AI-H4-DCC-32.768S晶振器MEMS OSC XO 32.7680KH
- SiTime(赛特时脉)SIT1562AI-JE-DCC-32.768Q晶振器ULTRA-LOW POWER, MEMS
- SiTime(赛特时脉)SIT9375AI-02A1-2510-100.000000E晶振器MEMS OSC XO 10
- SiTime(赛特时脉)SIT8008BCT12-18S-48.000000晶振器MEMS OSC XO 48.0000
- SiTime(赛特时脉)SIT5000AC-8E-25E0-25.000000Y晶振器MEMS OSC TCXO 25.
- SiTime(赛特时脉)SIT8008BC-13-18E-57.000000晶振器MEMS OSC XO 57.0000
- SITIME预编程振荡器是否通过了相关的质量和环境认证
- SiTime(赛特时脉)SIT9375AI-02B1-2510-25.000000E晶振器MEMS OSC XO 25M
- 发布日期:2025-08-16 07:31 点击次数:88
标题:SiTime(赛特时脉) SIT8918AE-13-33E-75.000000晶振器MEMS OSC XO 75.0000MHZ LVCMOS LV的技术和方案应用介绍

SiTime(赛特时脉)的SIT8918AE-13-33E-75.000000晶振器是一款采用MEMS(微电子机械系统)技术的出色晶振器,其型号名中的“MEMS OSC XO 75.0000MHZ”清晰地揭示了其特性。这款晶振器采用LVCMOS(低电压CMOS)和LV(低电压)技术,具有一系列独特的特点和优势,使其在众多应用领域中大放异彩。
首先,SiTime(赛特时脉)的SIT8918AE-13-33E-75.000000晶振器采用了MEMS技术,这是一种具有创新性的微纳制造技术。通过这种技术,该晶振器能够实现极高的精度和稳定性,同时具有较低的功耗和更小的体积。这使得该晶振器在许多对精度和稳定性有高要求的电子设备中具有显著的优势。
其次,这款晶振器采用了LVCMOS和LV技术。LVCMOS是一种低电压CMOS技术,具有低功耗、低噪声和高速度等优点,特别适合于需要高可靠性和低成本的应用。LV技术则是指低电压技术,SITIME(赛特时脉)预编程振荡器/晶振 它使得电子设备在低功耗模式下运行,从而延长了设备的使用寿命。
在方案应用方面,SiTime(赛特时脉)的SIT8918AE-13-33E-75.000000晶振器适用于各种需要高精度、高稳定性和低噪声的电子设备,如通信设备、数据存储设备、消费电子产品、医疗设备、汽车电子等。此外,由于其小型化和低功耗的特点,该晶振器在物联网和可穿戴设备中也具有广泛的应用前景。
总的来说,SiTime(赛特时脉)的SIT8918AE-13-33E-75.000000晶振器以其MEMS技术、LVCMOS和LV技术,以及在各种应用中的出色表现,无疑是一款极具竞争力的产品。它的出现,为我们的生活和工作带来了更多的便利和效率,也推动了整个电子行业的发展。

- SiTime(赛特时脉)SIT8920BM-23-33E-8.000000G晶振器LOW POWER PROGRAMMABLE OSCILLLAT的技术和方案应用介绍2025-09-29
- SiTime(赛特时脉)SIT8103AC-21-28E-26.00000X晶振器MEMS OSC XO 26.0000MHZ LVCMOS LV的技术和方案应用介绍2025-09-27
- SiTime(赛特时脉)SIT9121AC-1D2-33E121.500000Y晶振器MEMS OSC XO 121.5000MHZ LVPECL的技术和方案应用介绍2025-09-26
- SiTime(赛特时脉)SIT8225AI-22-33E-25.001200Z晶振器OSCILLATOR FOR NETWORKING, IND T的技术和方案应用介绍2025-09-25
- SiTime(赛特时脉)SIT8225AI-22-33E-25.000625Z晶振器OSCILLATOR FOR NETWORKING, IND T的技术和方案应用介绍2025-09-24
- SiTime(赛特时脉)SIT8208AI-G1-33E-24.000000Y晶振器MEMS OSC XO 24.0000MHZ LVCMOS LV的技术和方案应用介绍2025-09-22