芯片产品
热点资讯
- SiTime(赛特时脉)
- SiTime(赛特时脉)SIT1533AI-H4-DCC-32.768S晶振器MEMS OSC XO 32.7680KH
- SiTime(赛特时脉)SIT8103AI-83-33E-50.00000X晶振器MEMS OSC XO 50.0000
- SiTime(赛特时脉)SIT5000AC-8E-25E0-25.000000Y晶振器MEMS OSC TCXO 25.
- SiTime(赛特时脉)SIT2001BC-S2-33E-24.000000D晶振器XTAL OSC XO 24.000
- SiTime(赛特时脉)SIT9375AI-02B1-2510-25.000000E晶振器MEMS OSC XO 25M
- SiTime(赛特时脉)SIT8008BC-33-33E-108.000000晶振器MEMS OSC XO 108.00
- SiTime(赛特时脉)SIT9375AI-02P1-2510-156.250000E晶振器MEMS OSC XO 15
- SiTime(赛特时脉)SIT8008BC-83-33E-7.372800晶振器MEMS OSC XO 7.3728MH
- SITIME预编程振荡器是否通过了相关的质量和环境认证
- 发布日期:2024-10-09 07:30 点击次数:163
标题:SiTime(赛特时脉) SIT1552AI-JE-DCC-32.768D晶振器:MEMS OSC TCXO技术及其应用
随着科技的飞速发展,我们的生活已经离不开各种电子设备。这些设备依赖于精确的时钟源,其中SiTime(赛特时脉)的SIT1552AI-JE-DCC-32.768D晶振器以其独特的MEMS OSC TCXO技术,为我们提供了可靠的时钟解决方案。
首先,让我们来了解一下MEMS OSC(微机械振荡器)和TCXO(温度补偿晶体振荡器)这两个关键技术。MEMS OSC是一种基于微机械加工技术的振荡器,具有体积小、功耗低、可靠性高等优点。然而,其频率稳定度受环境因素影响较大,如温度和机械应力。TCXO则通过内部电路对温度进行实时监测和补偿,大大提高了频率的稳定度。
而SiTime(赛特时脉)的SIT1552AI-JE-DCC-32.768D晶振器正是结合了这两种技术的优势。它采用MEMS工艺制造,具有低成本、高可靠性和小型化的特点。同时,它还配备了TCXO技术,能够实现±1ppm的长期温度稳定度。这意味着该晶振器能够在广泛的温度范围内提供精确且稳定的时钟信号,非常适合用于各种需要高精度时钟的设备, 芯片采购平台如智能手机、平板电脑、物联网设备等。
再者,该晶振器采用了LVCMOS的技术,这是一种低功耗CMOS技术,适用于需要低功耗和高性能的应用场景。这种技术能够确保晶振器在各种电源电压下都能提供稳定的输出,并且具有出色的噪声性能和抗干扰能力。
综上所述,SiTime(赛特时脉)的SIT1552AI-JE-DCC-32.768D晶振器凭借其独特的MEMS OSC TCXO技术和LVCMOS技术,为各种需要高精度时钟的设备提供了理想的解决方案。无论是对于设备的性能还是功耗,该晶振器都表现出了出色的性能。
未来,随着技术的不断进步,我们期待更多的高性能、低功耗的晶振器出现,以满足各种电子设备的需要。而SiTime(赛特时脉)将继续致力于研发和创新,为全球用户提供更优质的产品和服务。
- SiTime(赛特时脉)SIT1534AI-J4-DCC-00.032E晶振器MEMS OSC XO 32.0000HZ LVCMOS SMD的技术和方案应用介绍2024-11-21
- SiTime(赛特时脉)SIT1532AI-J4-D26-32.768D晶振器MEMS OSC XO 32.7680KHZ NANODRIVE的技术和方案应用介绍2024-11-20
- SiTime(赛特时脉)SIT9003AC-24-33EB-35.00000Y晶振器MEMS OSC XO 35.0000MHZ LVCMOS LV的技术和方案应用介绍2024-11-19
- SiTime(赛特时脉)SIT9003AC-24-33EB-24.00000Y晶振器MEMS OSC XO 24.0000MHZ LVCMOS LV的技术和方案应用介绍2024-11-18
- SiTime(赛特时脉)SIT9003AC-23-33DQ-12.0000Y晶振器MEMS OSC XO 12.0000MHZ LVCMOS LV的技术和方案应用介绍2024-11-17
- SiTime(赛特时脉)SIT8008BI-83-XXS-50.000000晶振器MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS的技术和方案应用介绍2024-11-16