BFS 481 H6327

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编号：

726-BFS481H6327

制造商编号：

BFS 481 H6327

制造商：

Infineon Technologies

客户编号:

说明：

射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

数据表:

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¥-.--

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¥-.--

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整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

eel™ (+¥15.00)

数量 单价

总价

† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩

× 包装选择

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剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。

eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。

完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按3000的倍数订购。

卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。

卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

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产品合规性

CNHTS: 8541210000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541210075 JPHTS: 8541290100 KRHTS: 8541219000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 85412999 ECCN: EAR99

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英飞凌射频晶体管

英飞凌射频晶体管配有低噪声放大器和高线性晶体管。低噪声类别的器件采用的是硅双极技术。达 fT <20 GHz 的中等转变频率实现了易用性和稳定性。击穿电压可以安全支持 5V 的电源电压。这些晶体管适用于对高达 14 GHz 的 VHF/UHF 进行调幅（AM） 。

高线性晶体管提供 29 dBm 以上的 OIP3 (三阶交截点)。它们基于英飞凌出品的大容量硅双极和 SiGe:C 技术，实现了同类最佳的噪声系数。这些器件适用于驱动器、前置放大器和缓冲放大器。

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图像 制造商零件编号 描述 库存 亿配芯城 SQI， 104MHz， I temp， 8-SOIC

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